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总投资70亿美元三星加速西安NAND闪存工厂建设

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发表于 2019-10-13 17:29:44 | 显示全部楼层 |阅读模式
在连跌7个季度之后,NAND闪存市场将在今年底迎来转机,Q3季度闪存价格下跌幅度已经大幅收窄,预计Q4季度会由跌转涨,涨幅约为10%。
价格变化的同时,上游的闪存厂商也开始有新的动作了,韩媒报道称三星计划将明年的存储芯片开支增加到65亿美元,额外增加的资金主要用于建设位于中国西安的闪存工厂二期工程。
在中国西安,三星2014年投资70亿美元建设了第一期闪存工厂,主要生产第一代V-NAND闪存芯片。2017年,三星与西安政府签署了新的协议,将在2020年之前再次投资70亿美元建设第二座闪存工厂。
三星, 西安NAND闪存工厂
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